IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ) は、大電流を処理でき、高速スイッチング機能を備えた 3 つの端子を備えた多層半導体デバイスです。それらは、タイプ、コレクタ - エミッタ降伏電圧、コレクタ電流、パルスコレクタ電流、VCE(ON)、スイッチングエネルギー、およびゲート電荷によって特徴付けられます。
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